產(chǎn)品名稱(chēng)：二硅化鉿（HfSi2）
規(guī)格：0.8-10um（D50）
形貌：不規(guī)則
顏色：黑灰色
特點(diǎn)：純度高、粒度小、分布均勻、比表面積大和表面活性高
用途：金屬陶瓷、高溫抗氧化涂層、高溫結(jié)構(gòu)材料及航空、航天等領(lǐng)域
中文名 硅化鉿
英文名 Hafnium silicide
化學(xué)式： HfSi2
CAS：12401-56-8
EINECS： 235-640-1
密度： 8,02 g/cm3
熔點(diǎn) ：1680°C
分子量 234.66
應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 核工業(yè)材料
應(yīng)用：核反應(yīng)堆控制棒、中子吸收材料、核廢料容器涂層。
依據(jù)：鉿的中子吸收截面大（約105靶恩），是核反應(yīng)堆控制棒的理想材料，硅化鉿可提升高溫穩(wěn)定性，延長(zhǎng)使用壽命。 耐輻射和抗腐蝕性能優(yōu)異，適合2. 高溫結(jié)構(gòu)材料與涂層
應(yīng)用：航空航天發(fā)動(dòng)機(jī)葉片、超音速飛行器熱防護(hù)層、高溫爐內(nèi)襯。
依據(jù)： 硅化鉿的熔點(diǎn)高達(dá)約2500°C，優(yōu)于硅化鋯，高溫抗氧化性更強(qiáng)（尤其在富氧或極端熱震環(huán)境中）。 作為涂層（如通過(guò)CVD/PVD技術(shù)），可保護(hù)鎳基超合金部件免受高溫氧化和腐蝕。
3. 半導(dǎo)體與微電子器件
應(yīng)用：高介電常數(shù)柵極材料（替代SiO?）、集成電路擴(kuò)散阻擋層。
依據(jù)：HfSi?與硅基底相容性好，可降低界面缺陷，在先進(jìn)制程中作為高介電常數(shù)（high-κ）材料，提升晶體管性能。在銅互連工藝中，作為擴(kuò)散阻擋層（類(lèi)似TaN），防止銅原子遷移至硅基底。
4. 耐磨與耐腐蝕涂層
應(yīng)用：精密刀具涂層、化工設(shè)備防腐層、海洋環(huán)境抗侵蝕涂層。
依據(jù)：
高硬度（約15-20 GPa）和化學(xué)惰性，可抵抗酸、堿及鹽霧腐蝕。
通過(guò)熱噴涂或氣相沉積技術(shù)，延長(zhǎng)工具和設(shè)備的服役壽命。
5. 熱電材料
應(yīng)用：高溫廢熱發(fā)電系統(tǒng)、深空探測(cè)器同位素電池。
依據(jù)：
硅化鉿（如HfSi?）在一定溫度范圍內(nèi)具有較高的熱電優(yōu)值（ZT），可將熱能直接轉(zhuǎn)化為電能。
耐高溫特性使其適用于極端環(huán)境（如航天器尾氣余熱回收）。
6. 復(fù)合材料增強(qiáng)相
應(yīng)用：陶瓷基復(fù)合材料（CMC）、金屬基復(fù)合材料（MMC）。
依據(jù)：
作為增強(qiáng)相加入碳化硅（SiC）或氧化鋁（Al?O?）基體中，可提高材料的斷裂韌性和高溫抗蠕變性能。
用于航天器熱防護(hù)系統(tǒng)（TPS）或高超音速飛行器前緣部件。
7. 新興領(lǐng)域探索
量子材料：研究硅化鉿在拓?fù)浣^緣體或超導(dǎo)材料中的潛在特性。
新能源：作為催化劑載體（如電解水制氫）或固態(tài)電池界面層。
光電子器件：探索其在紫外光探測(cè)器或光伏材料中的應(yīng)用。
包裝儲(chǔ)存:本品為充惰氣塑料袋包裝，密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中，不宜暴露空氣中，防受潮發(fā)生氧化團(tuán)聚，影響分散性能和使用效果；包裝數(shù)量可以根據(jù)客戶(hù)要求提供分裝。
